產品概述

DZT系列模組式動態(tài)無功補償裝置主要元器件均采用進口品牌，是一種動態(tài)跟蹤補償的新型電子式無觸點可控硅電容投切裝置，利用大功率晶閘管組成低壓雙向可控硅交流無觸點開關，可實現對多級電容器組的快速過零投切。在TSC裝置電容器支路中串聯(lián)適當的電感，可有效防止諧波放大、吸收部分諧波電流，起到諧波抑制的作用。同時該系列裝置采用三相獨立的控制技術，能有效解決三相不平衡沖擊負荷無功補償的技術難題 ，裝置響應時間小于20ms，功率因數補償至0.9以上，是無功補償領域中的升級換代產品。該補償裝置采用模組式，它具有安裝便捷、外形美觀、散熱性好、維護方便等優(yōu)點。

型號說明

技術特點

采用雙向反并聯(lián)晶閘管，可實現無觸點電子開關，延長開關使用壽命。

實現過零投切、無沖擊、無涌流和過壓。

可對三相平衡電網進行三相共補及三相不平衡負荷電網進行分相補償。

全數字化控制，實時檢測并計算無功功率量。

投切速度快，t<20ms。

在規(guī)定的動態(tài)響應時間內，多級補償一次到位，補償后功率因數大于0.90。

快速熔斷器過流保護與報警。

在外部故障或停電時自動退出，送電后自動恢復運行。

國內首家在該領域獨創(chuàng)的動態(tài)無功補償調節(jié)器系統(tǒng)，抗干擾能力強、可靠性高。

技術參數

額定電壓：0.66kV；0.4kV

響應時間：＜20ms     

調節(jié)方式：三相調節(jié)、分相調節(jié)                      

控制量：無功功率、功率因數    

控制精度：0.5%

控制電源：AC220V/DC15V

總功率損耗：不超過額定功率的2%

殼體防護等級：IP30

環(huán)境溫度：-35℃~+40℃

符合標準：DL/T842-2003、IEC831-1、GB12747-91

海拔高度：＜2000m  

工作原理

     低壓TSC動態(tài)無功補償裝置采用人工智能控制，由控制器、雙向可控硅、電容器、電抗器、保護元件等組成。控制器實時跟蹤測量負荷的功率因數和無功電流，與預先設定的給定值進線比較，動態(tài)控制電容器組的投切，以保證功率因數達到設定值。整個測量執(zhí)行過程在一個周波內完成（時間＜20ms），并實現可控硅過零觸發(fā)，確保投切電容器無沖擊、無涌流、無過渡過程

一次原理圖和底視圖

符號說明：

QF  低壓塑殼式斷路器

F 氧化鋅避雷器

TA  電流互感器

FU  熔斷器

L    低壓串聯(lián)電抗器

K 可控硅組

C低壓電容器

應用范圍

     該產品廣泛應用于冶金、化工、機械制造、軌道交通、礦山、港運、大型文體場館、商業(yè)住宅等行業(yè)?？捎行Ы鉀Q該電力系統(tǒng)功率因數低、存在諧波、負載波動頻繁、無功沖擊大、系統(tǒng)三相不平衡運行等電能質量問題，提升電力系統(tǒng)運行效率。